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             igbt功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率mosfet的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20khz），这两点非常显着的特性，近西门子公司又推出低饱和压降（2.2v）的npt-igbt性能更佳，相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦己在开发研制新品种。应用编辑igbt是先进的第三代功率模块，工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、ups、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎己替代一切其它功率器件，例scr.gto,gtr,mosfet,双极型达林顿管等泪今功率可高达1mw的低频应用中，单个元件电压可达4.okv（pt结构）一6.5kv（npt结构），电流可达1.5ka,是较为理想的功率模块。

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          在变频器中，对充电限流电阻进行短接的开关，目前一般都采用机械接触器，但由于环境的影响，特别是在湿度大或带粉尘的环境下，往往会使触头损坏，另外接触器接通和断开时产生电弧，致使接触器寿命缩短而损坏，从而严重影响变频器的稳定可靠工作。为了解决上述存在的问题，常州瑞华电力电子器件有限公司采用FRED替代普通整流二极管，采用晶闸管替代机械接触器，制成如图1所示的“三相FRED整流桥开关模块”，这种模块用于变频器后，能使变频器性能大大提高、体积缩小、重量减轻、工作稳定可靠。它已广泛用于VVVT、SMPS、UPS、逆变焊机以及伺服电机驱动放大器等具有直流环节的变频装置，并已取得很大成效。用超快恢复二极管(FRRD)替代普通整流管所构成的“三相FRED整流桥开关模块”(型号为MFST)亦可用于上述各种电压型变频器，但可大幅度降低变频器噪音达15dB，这一效应将直接影响到变频器的EMI滤波电路内电容器和电感器的设计，并使它们的尺寸大大缩小，从而降低装置的成本和缩小装置的体积，使变频器的性能提高，工作稳定可靠，使变频器更能满足国家EMI标准。而以晶闸管替代用以短路充电电阻的机械接触器，使变频器的工作寿命延长，工作更稳定更可靠。当前，虽然FRED要比普通整流管更贵，而且模块制作工艺亦将更复杂，但综合考虑分析上述优点，随着FRED芯片价格的进一步下降和模块制造工艺的进一步成熟和规模化生产，这种“三相FRED整流桥开关模块”将获得飞快发展和广泛的应用。

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