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         简单说明了旁路和退耦之后，我们来看看芯片工作时是怎样在电源线上产生干扰的。我们建立一个简单的IO Buffer模型，输出采用图腾柱IO驱动电路，由两个互补MOS管组成的输出级驱动一个带有串联源端匹配电阻的传输线（传输线阻抗为Z0）。

设电源引脚和地引脚的封装电感和引线电感之和分别为：Lv和Lg。两个互补的MOS管（接地的NMOS和接电源的PMOS）简单作为开关使用。假设初始时 刻传输在线各点的电压和电流均为零，包头电容器，在某一时刻器件将驱动传输线为高电平，这时候器件就需要从电源管脚吸收电流。在时间T1，使PMOS管导通，电流从PCB板上的VCC流入，流经封装电感Lv，跨越PMOS管，串联终端电阻，然后流入传输线，输出电流幅度为VCC/（2×Z0）。电流在传输线网络上持续一个完整的返回（Round-Trip）时间，电力电容器回收，在时间T2结束。之后整个传输线处于电荷充满状态，不需要额外流入电流来维持。当电流瞬间涌过封装电感Lv时，将在芯片内部的电源提供点产生电压被拉低的扰动。

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           为了阻止开关模式电源滤波市场从标准的5毫米PET薄膜电容器转向表面贴装多层陶瓷贴片电容器，薄膜电容器产业在1995年到2005年这十年间投资了数百万美元，以开发具有以下特性的薄膜贴片电容器：可以表面贴装;能够承受焊接温度;价格与有引线的直流薄膜电容器市场相当;提供基于薄膜的电容器的全部特点。自从1995年以来，SMD薄膜贴片电容器市场取得了明显的增长，这些主要采用聚苯硫醚电介材料的薄膜贴片电容，实现了上述四种特点，但平均单位价格较高。

全球市场观察

SMD薄膜电容器的增长源于两个方面。一是基于从有引线薄膜电容器到表面贴装电容器的传统过渡效应，因为设计工程师在CATV、dc/dc砖式转换器、音频和照明等终市场转向占位更小的设计。第二是在便携式音频、机顶盒、LCD背光和dc/dc砖式转换器等领域中新的市场机会的发展。这已经而且将继续推动其增长。汽车电子部件供应商对其也有很大兴趣，不仅是用于立体声应用方面，而且也用于动力总成应用。

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         有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。

去耦电容在集成电路电源和地之间有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5nH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，计算方法为也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在2MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，其电容值可按C=1/F来计算，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。

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