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        在时间T3，优质电容器回收厂家，关闭PMOS管，这一动作不会导致脉冲噪声的产生，因为在此之前PMOS管一直处于打开状态且没有电流流过的。同时打开NMOS管，这时传输线、地平面、封装电感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬间电流流过开关B，这样在芯片内部的地结点处产生参考电平点被抬高的扰动。该扰动在电源系统中被称之为地弹噪声（Ground Bounce，我个人读着地tan）。

实际电源系统中存在芯片引脚、PCB走线、电源层、底层等任何互联机都存在一定电感值，因此上面就IC级分析的SSN和地弹噪声在进行Board Level分析时，以同样的方式存在，而不仅仅局限于芯片内部。

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电容器的结构是两个导体极板之间隔着一层绝缘膜，电荷不能通过。两边的极板在电场作用下，会积聚异性电荷。

电容器两端如果加直流电，则在充上电后就不会再有电流，这就是隔直流作用；如果加交流电，电容器的两个极板上集聚的电荷就会随着电压方向的不同而不断变化，使电容器不断地充放电，从而电路中电流跟着变化。电容器不断地充放电，好象电流通过了电容器似的，电容器回收公司，这就是耦合。

电容器中的电量大小与电容、两端电压的关系：Q=CU。

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          1.电容器的连续运行电压为1.00Un，且能在如下表所规定的稳态过电压下运行相应的时间。 2.能为电容器所耐受而不受到显著损伤的过电压值取决于持续时间、总的次数和电容器的温度。 3.高于1.15Un的过电压是以在电容器的寿命期间发生总共不超过200次为前提确定的。 允许在由于过电压和高次谐波造成的有效值为额定电流的1.30倍的稳态过电流下运行。对于电容具有偏差的电容器，稳态过电流允许达到额定电流的1.43倍。 4.电容偏差为：-5%~+10%。 5.损耗角正切值tarδ(在额定电压下，20℃时)a.采用膜纸复合介质的产品不大于0.0012。b.采用全膜介质的产品不大于0.0005(不含内熔丝)。c.带内熔丝的电容器损耗角正切值、在定货时协商确定。 6.电容器分户内型和户外型，并有适合于湿热地区，高原地区及污秽地区等各种特殊环境用的产品。 7.产品技术性能符合GB3983-89、GB/T11024-2001《高低压并联电容器》国家标准及lEC871-1(1987)要求。

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