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         就整个电源分布系统来说（Power Distribute System）来说，这就是所谓的电源电压塌陷噪声。因为芯片输出的开关操作以及芯片内部的操作，需要瞬时的从电源抽取较大的电流，而电源特性来说不能快速响应该电流变化，高速开关电源开关频率也仅有MHz量级。为了保证芯片附近电源在线的电压不至于因为SSN和地弹噪声降低超过器件手册规定的容限，这就需要在芯片附近为高速电流需求提供一个储能电容，这就是我们所要的退耦电容。

所以电容重要分布参数的有三个：等效串联电阻ESR 等效串联电感ESL 、等效并联电阻EPR Rp 。其中重要的是ESR、 ESL，实际在分析电容模型的时候一般只用RLC简化模型，即分析电容的C、ESR、ESL。因为寄生参数的影响，尤其是ESL的影响，实际电容的频率特性表现出阻抗和频率成“V”字形的曲线，低频时随频率的升高，电容阻抗降低；当到点时，电容阻抗等于ESR；之后随频率的升高，阻抗增加，交流电容器回收价格，表现出电感特性（归功于ESL）。因此对电容的选择需要 考虑的不仅仅是容值，还需要综合考虑其他因素。

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　　在电子线路中，电容用来通过交流而阻隔直流，也用来存储和释放电荷以充当滤波器，平滑输出脉动信号。小容量的电容，通常在高频电路中使用，如收音机、发射机和振荡器中。大容量的电容往往是作滤波和存储电荷用。而且还有一个特点，一般 1μF...

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          1.电容器的连续运行电压为1.00Un，且能在如下表所规定的稳态过电压下运行相应的时间。 2.能为电容器所耐受而不受到显著损伤的过电压值取决于持续时间、总的次数和电容器的温度。 3.高于1.15Un的过电压是以在电容器的寿命期间发生总共不超过200次为前提确定的。 允许在由于过电压和高次谐波造成的有效值为额定电流的1.30倍的稳态过电流下运行。对于电容具有偏差的电容器，稳态过电流允许达到额定电流的1.43倍。 4.电容偏差为：-5%~+10%。 5.损耗角正切值tarδ(在额定电压下，20℃时)a.采用膜纸复合介质的产品不大于0.0012。b.采用全膜介质的产品不大于0.0005(不含内熔丝)。c.带内熔丝的电容器损耗角正切值、在定货时协商确定。 6.电容器分户内型和户外型，并有适合于湿热地区，高原地区及污秽地区等各种特殊环境用的产品。 7.产品技术性能符合GB3983-89、GB/T11024-2001《高低压并联电容器》国家标准及lEC871-1(1987)要求。

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