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CL20/CBB20圆形轴向金属化膜电容器非感应式结构,具有电性能优良、可靠性好、耐高温、体积小、容量大,高频损耗小,过电流能力强,适用于大电流,绝缘电阻高,自愈性好,寿命长,温度特性稳定,广泛用于仪器、仪表及家用电器交直流线路,变频、分频等交流、大脉冲电路,尤其是高保真要求的音响分频器电路。
6. CBBX2(MPX MKP41)金属化聚丙烯膜抗干扰电容器。采用金属化锌铝聚丙烯膜作介质和电极,用耐高温阻燃塑壳、环氧树脂封装,单向引出结构,该产品有较高抗外电干扰性能,可靠性高、损耗小及良好的自愈特性,有较好的安全防护作用。本产品广泛使用于彩电、电动工具、无线连接器、跨电源线路、电磁干扰滤波器、电源开关和大功率的电子整流器。










就整个电源分布系统来说(Power Distribute System)来说,这就是所谓的电源电压塌陷噪声。因为芯片输出的开关操作以及芯片内部的操作,需要瞬时的从电源抽取较大的电流,而电源特性来说不能快速响应该电流变化,高速开关电源开关频率也仅有MHz量级。为了保证芯片附近电源在线的电压不至于因为SSN和地弹噪声降低超过器件手册规定的容限,这就需要在芯片附近为高速电流需求提供一个储能电容,这就是我们所要的退耦电容。
所以电容重要分布参数的有三个:等效串联电阻ESR 等效串联电感ESL 、等效并联电阻EPR Rp 。其中重要的是ESR、 ESL,实际在分析电容模型的时候一般只用RLC简化模型,即分析电容的C、ESR、ESL。因为寄生参数的影响,尤其是ESL的影响,实际电容的频率特性表现出阻抗和频率成“V”字形的曲线,低频时随频率的升高,电容阻抗降低;当到点时,电容阻抗等于ESR;之后随频率的升高,阻抗增加,表现出电感特性(归功于ESL)。因此对电容的选择需要 考虑的不仅仅是容值,还需要综合考虑其他因素。
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