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电容器回收,蓄电池回收,断路器回收在时间T3,关闭PMOS管,这一动作不会导致脉冲噪声的产生,因为在此之前PMOS管一直处于打开状态且没有电流流过的。同时打开NMOS管,这时传输线、地平面、封装电感Lg以及NMOS管形成一回路,有瞬间电流流过开关B,这样在芯片内部的地结点处产生参考电平点被抬高的扰动。该扰动在电源系统中被称之为地弹噪声(Ground Bounce,我个人读着地tan)。
实际电源系统中存在芯片引脚、PCB走线、电源层、底层等任何互联机都存在一定电感值,因此上面就IC级分析的SSN和地弹噪声在进行Board Level分析时,以同样的方式存在,而不仅仅局限于芯片内部。
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在电子线路中,电容用来通过交流而阻隔直流,也用来存储和释放电荷以充当滤波器,平滑输出脉动信号。小容量的电容,通常在高频电路中使用,如收音机、发射机和振荡器中。大容量的电容往往是作滤波和存储电荷用。而且还有一个特点,一般 1μF...
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就整个电源分布系统来说(Power Distribute System)来说,这就是所谓的电源电压塌陷噪声。因为芯片输出的开关操作以及芯片内部的操作,需要瞬时的从电源抽取较大的电流,而电源特性来说不能快速响应该电流变化,高速开关电源开关频率也仅有MHz量级。为了保证芯片附近电源在线的电压不至于因为SSN和地弹噪声降低超过器件手册规定的容限,这就需要在芯片附近为高速电流需求提供一个储能电容,这就是我们所要的退耦电容。
所以电容重要分布参数的有三个:等效串联电阻ESR 等效串联电感ESL 、等效并联电阻EPR Rp 。其中重要的是ESR、 ESL,实际在分析电容模型的时候一般只用RLC简化模型,即分析电容的C、ESR、ESL。因为寄生参数的影响,尤其是ESL的影响,实际电容的频率特性表现出阻抗和频率成“V”字形的曲线,低频时随频率的升高,电容阻抗降低;当到点时,电容阻抗等于ESR;之后随频率的升高,阻抗增加,表现出电感特性(归功于ESL)。因此对电容的选择需要 考虑的不仅仅是容值,还需要综合考虑其他因素。
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