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并不是一个自开启电源电路、一个光电耦合器开启电源电路就能处理好的难题。如今销售市场上可控硅开关、动态补偿开关等全是走的简单化电源电路，追求的是成本低，关键投切30kvar尺寸的电容器。这类投切开关，对电容器的使用寿命依然危害比较严重，电容器的摘除过电压达到2000V，可控硅开关品质不容易开朗，设备故障率很高。计划方案可控硅投切电容器，涉及到电力电子技术的高精密过零技术性，投切全过程中还需要浪涌电压、过电压的难题。高精密过零、动态性充放电、暂态维护这三个技术性困难不太好，设备故障率仍会持续上升。处理好这三个难题，电容器会遭受非常好的维护，比别的投切方法会增加一倍的使用寿命。处理不太好这三个难点，快速熔断器就撤销不上，公司客户经常拆换快速熔断器，花费是承受不住的。

这也是为什么许多线路板在高频率器件VCC引脚处置放小电容的缘故之一（在vcc脚位上一般串联一个去藕电容，那样沟通交流份量就从这一电容接地装置。）配备标准以下：开关电源键入端跨接线一个10～100uF的电解电容器，假如印制电路板的部位容许，选用100uF之上的电解电容器的抗干扰性实际效果会更好。为每一个集成电路芯片芯片配备一个0.01uF的瓷器电容器。如碰到印制电路板室内空间小而放不进时，可每4～10个芯片配备一个1～10uF钽电解电容器，这类器件的高频率特性阻抗尤其小，在500kHz～20MHz范畴内特性阻抗低于1Ω，并且泄露电流不大（0.5uA下列）。针对噪音工作能力弱、关闭时电流量转变大的器件和ROM、RAM等储存型器件，应在芯片的电源插头（Vcc）和接地线（GND）间立即连接去耦电容。去耦电容的导线不可以太长，尤其是高频率旁通电容不可以带导线。

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在容积小于10pF时，可采用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度二、是以X7R为II类物质的高频电容器，其温度系数为±15，电容量相对性平稳，适用各种各样旁通、藕合、滤波电路等，其容积精度关键为K档(±10)。特殊情况下，可给予J档(±5)精度的。 电容量相对性平稳，适用各种各样旁通、藕合、滤波电路等，其容积精度关键为K档(±10)不一样种类的电容器，应用頻率不一样。中小型黑云母电容器在250MHZ之内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆钢管型瓷介电容器为200MHZ;园盘型瓷介可以达到3000MHZ;中小型纸介电容器为80MHZ;中小型纸介电容器仅有8MHZ。三、是以Y9V为II类物质的低頻电容器，其温度系数为： 30～-80，电容量受溫度、工作电压、時间转变很大，一般只适用各种各样滤波电路中。