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这也是为什么许多线路板在高频率器件VCC引脚处置放小电容的缘故之一（在vcc脚位上一般串联一个去藕电容，那样沟通交流份量就从这一电容接地装置。）配备标准以下：开关电源键入端跨接线一个10～100uF的电解电容器，假如印制电路板的部位容许，选用100uF之上的电解电容器的抗干扰性实际效果会更好。为每一个集成电路芯片芯片配备一个0.01uF的瓷器电容器。如碰到印制电路板室内空间小而放不进时，可每4～10个芯片配备一个1～10uF钽电解电容器，这类器件的高频率特性阻抗尤其小，在500kHz～20MHz范畴内特性阻抗低于1Ω，并且泄露电流不大（0.5uA下列）。针对噪音工作能力弱、关闭时电流量转变大的器件和ROM、RAM等储存型器件，应在芯片的电源插头（Vcc）和接地线（GND）间立即连接去耦电容。去耦电容的导线不可以太长，尤其是高频率旁通电容不可以带导线。

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棕、黑、橙、金表明其电容量为0.01μF，容许误差为±5%棕、黑、黑、红、棕表明其电容量为0.01μF，容许误差为±1%电容器的归类及功效瓷介电容器(CC)构造：用结构陶瓷作物质，在瓷器表层涂敷一层金属材料(银)塑料薄膜，再经高溫煅烧后做为电级而成。瓷介电容器又分1类电介质(NPO、CCG);2类电介质(X7R、2X1)和3类电介质(Y9V、2F4)瓷介电容器。主要用途：关键运用于高频电路中。涤纶电容器(CL)构造：涤纶电容器，是用有极性聚酯薄膜为物质做成的具备正温度系数(即溫度上升时，电容量增大)的无极性电容器回收。

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