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          在镀膜技术中，因铝膜生产成本低，对环境的适应性强，常温常湿自然条件下，可以存放较长时间而保持导电性不变，自愈性能较好，便于保管和操作，因而得到广泛应用。

金属化电容器*突出的一个特点是具有良好的自愈性，就是说当其介质的电弱处被击穿后，由于短路产生的高能量使击穿附近的金属镀层迅速逸散形成空白区，重新恢复绝缘。这一特性要求金属化膜具有较薄的镀层。但在金属化的电容器中，金属镀层是作为极板使用的，从金属导电原理出发，又要求金属镀层越厚越好，这样电容器才能承受大电流的冲击。其喷金材料只能是AL、ZN或其合金，不同种类的金属在电场的作用下，接触面的电化学腐蚀是存在的，加上镀层，喷金面接触不佳，造成耐电流冲击能力差。同时铝膜电容器在运行中由于热电效应，镀层极易腐蚀脱落，导致容量下降，损耗增大、发热等。

这也是为什么许多线路板在高频率器件VCC引脚处置放小电容的缘故之一（在vcc脚位上一般串联一个去藕电容，那样沟通交流份量就从这一电容接地装置。）配备标准以下：开关电源键入端跨接线一个10～100uF的电解电容器，假如印制电路板的部位容许，选用100uF之上的电解电容器的抗干扰性实际效果会更好。为每一个集成电路芯片芯片配备一个0.01uF的瓷器电容器。如碰到印制电路板室内空间小而放不进时，可每4～10个芯片配备一个1～10uF钽电解电容器，这类器件的高频率特性阻抗尤其小，在500kHz～20MHz范畴内特性阻抗低于1Ω，并且泄露电流不大（0.5uA下列）。针对噪音工作能力弱、关闭时电流量转变大的器件和ROM、RAM等储存型器件，应在芯片的电源插头（Vcc）和接地线（GND）间立即连接去耦电容。去耦电容的导线不可以太长，尤其是高频率旁通电容不可以带导线。

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在容积小于10pF时，可采用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度二、是以X7R为II类物质的高频电容器，其温度系数为±15，电容量相对性平稳，适用各种各样旁通、藕合、滤波电路等，其容积精度关键为K档(±10)。特殊情况下，可给予J档(±5)精度的。 电容量相对性平稳，适用各种各样旁通、藕合、滤波电路等，其容积精度关键为K档(±10)不一样种类的电容器，应用頻率不一样。中小型黑云母电容器在250MHZ之内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆钢管型瓷介电容器为200MHZ;园盘型瓷介可以达到3000MHZ;中小型纸介电容器为80MHZ;中小型纸介电容器仅有8MHZ。三、是以Y9V为II类物质的低頻电容器，其温度系数为： 30～-80，电容量受溫度、工作电压、時间转变很大，一般只适用各种各样滤波电路中。