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通常电容器由电容器外壳、盖板、电容器芯组、蓖麻油、电极组成，其中填充介质密封在电容器结构的内部，使得电容器芯组被填充介质完全包裹，保证电容器芯组的绝缘性；如果电容芯组出现故障，其内部会产生大量的热量，使电容器内部产生高温，导致外壳鼓胀，电容器易发生，安全性低。

防爆型电力电容器的特殊设计

针对现有技术存在的不足，很多厂家研发了一种防爆电力电容器，具体技术方案如下：一种防爆型电容器，包括外壳、电容芯组、绝缘油、盖板、与电容芯组电气连接的电极、与电容芯组电气连接的第二电极，所述盖板的外部设置有压力开关，压力开关的底部设置有引流管，所述盖板的中央设置有与引流管相配合的安装孔，那就是电力电容器设计防爆装置的关键，比如铝电解电容器，底部通常就有防爆设计，使得电力电容器在使用过程中不会出现，而是鼓起等现象。

这也是为什么许多线路板在高频率器件VCC引脚处置放小电容的缘故之一（在vcc脚位上一般串联一个去藕电容，那样沟通交流份量就从这一电容接地装置。）配备标准以下：开关电源键入端跨接线一个10～100uF的电解电容器，假如印制电路板的部位容许，选用100uF之上的电解电容器的抗干扰性实际效果会更好。为每一个集成电路芯片芯片配备一个0.01uF的瓷器电容器。如碰到印制电路板室内空间小而放不进时，可每4～10个芯片配备一个1～10uF钽电解电容器，这类器件的高频率特性阻抗尤其小，在500kHz～20MHz范畴内特性阻抗低于1Ω，并且泄露电流不大（0.5uA下列）。针对噪音工作能力弱、关闭时电流量转变大的器件和ROM、RAM等储存型器件，应在芯片的电源插头（Vcc）和接地线（GND）间立即连接去耦电容。去耦电容的导线不可以太长，尤其是高频率旁通电容不可以带导线。

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在容积小于10pF时，可采用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度二、是以X7R为II类物质的高频电容器，其温度系数为±15，电容量相对性平稳，适用各种各样旁通、藕合、滤波电路等，其容积精度关键为K档(±10)。特殊情况下，可给予J档(±5)精度的。 电容量相对性平稳，适用各种各样旁通、藕合、滤波电路等，其容积精度关键为K档(±10)不一样种类的电容器，应用頻率不一样。中小型黑云母电容器在250MHZ之内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆钢管型瓷介电容器为200MHZ;园盘型瓷介可以达到3000MHZ;中小型纸介电容器为80MHZ;中小型纸介电容器仅有8MHZ。三、是以Y9V为II类物质的低頻电容器，其温度系数为： 30～-80，电容量受溫度、工作电压、時间转变很大，一般只适用各种各样滤波电路中。