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          在镀膜技术中，因铝膜生产成本低，对环境的适应性强，常温常湿自然条件下，可以存放较长时间而保持导电性不变，自愈性能较好，便于保管和操作，因而得到广泛应用。

金属化电容器*突出的一个特点是具有良好的自愈性，就是说当其介质的电弱处被击穿后，由于短路产生的高能量使击穿附近的金属镀层迅速逸散形成空白区，重新恢复绝缘。这一特性要求金属化膜具有较薄的镀层。但在金属化的电容器中，金属镀层是作为极板使用的，从金属导电原理出发，又要求金属镀层越厚越好，这样电容器才能承受大电流的冲击。其喷金材料只能是AL、ZN或其合金，不同种类的金属在电场的作用下，接触面的电化学腐蚀是存在的，加上镀层，喷金面接触不佳，造成耐电流冲击能力差。同时铝膜电容器在运行中由于热电效应，镀层极易腐蚀脱落，导致容量下降，损耗增大、发热等。

这也是为什么许多线路板在高频率器件VCC引脚处置放小电容的缘故之一（在vcc脚位上一般串联一个去藕电容，那样沟通交流份量就从这一电容接地装置。）配备标准以下：开关电源键入端跨接线一个10～100uF的电解电容器，假如印制电路板的部位容许，选用100uF之上的电解电容器的抗干扰性实际效果会更好。为每一个集成电路芯片芯片配备一个0.01uF的瓷器电容器。如碰到印制电路板室内空间小而放不进时，可每4～10个芯片配备一个1～10uF钽电解电容器，这类器件的高频率特性阻抗尤其小，在500kHz～20MHz范畴内特性阻抗低于1Ω，并且泄露电流不大（0.5uA下列）。针对噪音工作能力弱、关闭时电流量转变大的器件和ROM、RAM等储存型器件，应在芯片的电源插头（Vcc）和接地线（GND）间立即连接去耦电容。去耦电容的导线不可以太长，尤其是高频率旁通电容不可以带导线。

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电力工程电容器回收自身特点、无功负荷赔偿控制器具有的维护作用及其安裝热继电器很有可能产生不容易处理的难题等层面简易论述了在电容器组回路选用热继电器做为低压电容器zuowei的过压保护是沒有必需的。小编以前手一个配电室低电压无功补偿柜更新改造新项目，详细情况以下：该配电室为一生产线综合性配电室，机器设备运作已近些年。近一次常规维护保养时发觉，无功补偿柜内有一组电力电容器涨裂，接线端子排上有显著漏水印痕，故撤出运作，规定更新改造。该无功补偿柜电源总开关采用了塑壳断路器，电容器组支系回路采用了断路器 交流接触器 热继电器 电力电容器的组成方法，总赔偿容积155kVar，共有6步等容投切，每一步25kVar；控制器为某国内品牌JKL4C型无功功率补偿控制器，电容器型号为BSMJ-0.4-25-3。