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        在时间T3，关闭PMOS管，这一动作不会导致脉冲噪声的产生，因为在此之前PMOS管一直处于打开状态且没有电流流过的。同时打开NMOS管，这时传输线、地平面、封装电感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬间电流流过开关B，这样在芯片内部的地结点处产生参考电平点被抬高的扰动。该扰动在电源系统中被称之为地弹噪声（Ground Bounce，我个人读着地tan）。

实际电源系统中存在芯片引脚、PCB走线、电源层、底层等任何互联机都存在一定电感值，因此上面就IC级分析的SSN和地弹噪声在进行Board Level分析时，以同样的方式存在，而不仅仅局限于芯片内部。

CL20/CBB20圆形轴向金属化膜电容器非感应式结构，具有电性能优良、可靠性好、耐高温、体积小、容量大，高频损耗小,过电流能力强,适用于大电流，绝缘电阻高，自愈性好，寿命长，温度特性稳定，广泛用于仪器、仪表及家用电器交直流线路，变频、分频等交流、大脉冲电路，尤其是高保真要求的音响分频器电路。

6. CBBX2（MPX MKP41）金属化聚丙烯膜抗干扰电容器。采用金属化锌铝聚丙烯膜作介质和电极，用耐高温阻燃塑壳、环氧树脂封装，单向引出结构，该产品有较高抗外电干扰性能，可靠性高、损耗小及良好的自愈特性，有较好的安全防护作用。本产品广泛使用于彩电、电动工具、无线连接器、跨电源线路、电磁干扰滤波器、电源开关和大功率的电子整流器。

         简单说明了旁路和退耦之后，我们来看看芯片工作时是怎样在电源线上产生干扰的。我们建立一个简单的IO Buffer模型，输出采用图腾柱IO驱动电路，由两个互补MOS管组成的输出级驱动一个带有串联源端匹配电阻的传输线（传输线阻抗为Z0）。

设电源引脚和地引脚的封装电感和引线电感之和分别为：Lv和Lg。两个互补的MOS管（接地的NMOS和接电源的PMOS）简单作为开关使用。假设初始时 刻传输在线各点的电压和电流均为零，在某一时刻器件将驱动传输线为高电平，这时候器件就需要从电源管脚吸收电流。在时间T1，使PMOS管导通，电流从PCB板上的VCC流入，流经封装电感Lv，跨越PMOS管，串联终端电阻，然后流入传输线，输出电流幅度为VCC/（2×Z0）。电流在传输线网络上持续一个完整的返回（Round-Trip）时间，在时间T2结束。之后整个传输线处于电荷充满状态，不需要额外流入电流来维持。当电流瞬间涌过封装电感Lv时，将在芯片内部的电源提供点产生电压被拉低的扰动。