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           为了阻止开关模式电源滤波市场从标准的5毫米PET薄膜电容器转向表面贴装多层陶瓷贴片电容器，薄膜电容器产业在1995年到2005年这十年间投资了数百万美元，以开发具有以下特性的薄膜贴片电容器：可以表面贴装;能够承受焊接温度;价格与有引线的直流薄膜电容器市场相当;提供基于薄膜的电容器的全部特点。自从1995年以来，SMD薄膜贴片电容器市场取得了明显的增长，这些主要采用聚苯硫醚电介材料的薄膜贴片电容，实现了上述四种特点，但平均单位价格较高。

全球市场观察

SMD薄膜电容器的增长源于两个方面。一是基于从有引线薄膜电容器到表面贴装电容器的传统过渡效应，因为设计工程师在CATV、dc/dc砖式转换器、音频和照明等终市场转向占位更小的设计。第二是在便携式音频、机顶盒、LCD背光和dc/dc砖式转换器等领域中新的市场机会的发展。这已经而且将继续推动其增长。汽车电子部件供应商对其也有很大兴趣，不仅是用于立体声应用方面，而且也用于动力总成应用。

         就整个电源分布系统来说（Power Distribute System）来说，这就是所谓的电源电压塌陷噪声。因为芯片输出的开关操作以及芯片内部的操作，需要瞬时的从电源抽取较大的电流，而电源特性来说不能快速响应该电流变化，高速开关电源开关频率也仅有MHz量级。为了保证芯片附近电源在线的电压不至于因为SSN和地弹噪声降低超过器件手册规定的容限，这就需要在芯片附近为高速电流需求提供一个储能电容，这就是我们所要的退耦电容。

所以电容重要分布参数的有三个：等效串联电阻ESR 等效串联电感ESL 、等效并联电阻EPR Rp 。其中重要的是ESR、 ESL，实际在分析电容模型的时候一般只用RLC简化模型，即分析电容的C、ESR、ESL。因为寄生参数的影响，尤其是ESL的影响，实际电容的频率特性表现出阻抗和频率成“V”字形的曲线，低频时随频率的升高，电容阻抗降低；当到点时，电容阻抗等于ESR；之后随频率的升高，阻抗增加，表现出电感特性（归功于ESL）。因此对电容的选择需要 考虑的不仅仅是容值，还需要综合考虑其他因素。

        有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。

去耦电容在集成电路电源和地之间有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5nH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，计算方法为也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在2MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，其电容值可按C=1/F来计算，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。