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第二节 薄膜电容器行业国际发展现状分析

一、薄膜电容器行业国际发展概况

二、薄膜电容器行业主要国家经济效益分析

三、国际发展趋势分析

第三节 薄膜电容器行业主要国家及地区发展状况及经验借鉴

一、美国

二、欧洲

三、日本

四、台湾地区

五、小结

第三章 当代背景下薄膜电容器的发展机会分析

 薄膜电容器政策及其实施情况

一、薄膜电容器相关政策解读

二、薄膜电容器计划实施成果解读

第二节 薄膜电容器在国民经济中的地位及作用分析

一、薄膜电容器内涵与特征

二、薄膜电容器与经济的关系分析

第三节 国内环境背景下薄膜电容器发展SWOT分析

一、国家战略对薄膜电容器产业的影响分析

1、薄膜电容器市场资源配置的影响

2、薄膜电容器产业市场格局的影响

3、薄膜电容器产业发展方式的影响

二、国家战略背景下薄膜电容器发展的SWOT分析

1、薄膜电容器发展的优势分析

2、薄膜电容器发展的劣势分析

3、薄膜电容器发展的机遇分析

4、薄膜电容器发展面临的挑战

        有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。

去耦电容在集成电路电源和地之间有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5nH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，计算方法为也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在2MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，其电容值可按C=1/F来计算，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。

        在时间T3，关闭PMOS管，这一动作不会导致脉冲噪声的产生，因为在此之前PMOS管一直处于打开状态且没有电流流过的。同时打开NMOS管，这时传输线、地平面、封装电感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬间电流流过开关B，这样在芯片内部的地结点处产生参考电平点被抬高的扰动。该扰动在电源系统中被称之为地弹噪声（Ground Bounce，我个人读着地tan）。

实际电源系统中存在芯片引脚、PCB走线、电源层、底层等任何互联机都存在一定电感值，因此上面就IC级分析的SSN和地弹噪声在进行Board Level分析时，以同样的方式存在，而不仅仅局限于芯片内部。