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整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择C=(2.5-5)×10 的负8 次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A 的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10 的负8 次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56选择10 欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10 的负12 次方×R)2Pfv=2u(1.5-2.0)

R 的选取：小功率选金属膜或RX21 线绕或水泥电阻；大功率选RX21 线绕或水泥电阻。C 的选取：CBB 系列相应耐压的无极性电容器。看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A 电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A 以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。

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该电容优点突出，缺点也突出。其主要优点是安装方便、维护工作量小、节省占她面积。而其缺点主要是给用户带来不便，它的维护工作量虽小，但对它的观察很不直观，不能放松对其容量变化的关注；特别是在有谐波的场所，对其容量的变化必须时刻注意。随着运行时间的推移，内熔丝可能会逐步动作，从而引发三相电容量失衡，这一故障很难在现场修复，返厂修理又费时间，影响电容器的投运率。再者因此引起的并补装置串联电抗百分率的变化，大到一定程度时会远离预定目标，甚至带来麻烦。特别是选取4. 5%电抗百分率的并联补偿装置，应事先做好预案，一旦这个百分率出现下滑向4%靠近时，要有可靠的应对措施。更值得注意的是，电容器高压出线套管下端（在油中）对地闪络或击穿时，对地保护有“死区”。《并联电容器装置设计规范》(GB 50227 --1995)及相关国家行业标准均对此没有针对性措施；一旦发生这类事故，只能待其发展到元件损坏而出现不平衡电压或电流后，才能迫使后备继电保护动作。运行实践表明已有这类事故发生，而且都是恶性事故。因此在投运该类产品时，应考虑对此问题加以防范。其实这类事故的起因是对地绝缘失效，在保护上存在盲区造成的。后备保护动作是事故已经扩大，导致集合式电容器严重损坏，产生了不平衡电压或电流后的补救揩施，现有保护不能对这类恶性事故起到预防作用。

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