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去耦，又称解耦。从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。

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将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度（对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大），接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。

c、对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。

d、使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。

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整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择C=(2.5-5)×10 的负8 次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A 的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10 的负8 次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56选择10 欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10 的负12 次方×R)2Pfv=2u(1.5-2.0)

R 的选取：小功率选金属膜或RX21 线绕或水泥电阻；大功率选RX21 线绕或水泥电阻。C 的选取：CBB 系列相应耐压的无极性电容器。看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A 电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A 以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。

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