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开关稳压电源一级EMI抗干扰应用电路开关电源抗干扰电路1.EMI滤波器EMI滤波器与π型滤波器类似，但实际上它是一个双向LC滤波器。它的作用一方面滤除交流市电窜入的干扰，另一方面滤除开关管所产生的噪声，高压电容器回收，防止其进入到输入电源线造成对电网的污染。与EMI滤波电感器共同组成LC滤波器时所用的电容器C1～C4，通常要选用高频特性好的高压薄膜电容器或陶瓷电容器，这些电容器的容量值可在0.005～0.1μF之间选择，但应注意这些电容器的工作电压必须满足要求。2.浪涌抑制电路浪涌抑制电路主要由过电压抑制器为主构成。通常设置在EMI滤波电感器之后，但在整流滤波电路之前。浪涌抑制是利用EMI滤波电感器的串联阻抗来防止超过它们额定的瞬间能量。EMI电感器极大地减小了瞬间电压峰值，并在时间上把它延长，这样可以提高浪涌抑制电路所用元件的工作寿命。必须注意：不同的浪涌抑制元件所串联的内部电阻特性也不一样。金属氧化物变阻器（MOV）导通时，电阻值非常高，营口电容器回收，而半导体浪涌抑制器的电阻值比较低。发生浪涌时，抑制器的电阻值会影响到加在其上面的额定电压。例如，180V金属氧化物变阻器，瞬间电压可以上升到230V。故在选用滤波电容器和浪涌抑制器时，应考虑到这一点。3.整流器保护电路在电路启动时，正常的电流脉冲经整流后对已完全放电的C5大电容器进行充电，使电容器的端电压跳变，从而引起的浪涌电流有可能比平均输入电流有效值的10倍还大。这样大的浪涌电流有可能会导致整流器受损。为此，通常可在EMI滤波器的后面接一只热敏电阻器RT。

             电容器回收一般都可以看成一个RLC串联模型。在某个频率，会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其ESR。如果看电容的频率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个V形的曲线。具体曲线与电容的介质有关，ABB电容器回收，所以选择旁路电容还要考虑电容的介质，一个比较保险的方法就是多并几个电容。去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，指明电容器回收，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。

        这种电容器回收单个元件由聚金属化薄膜绕制而成。聚金属化薄膜是在聚薄膜表面利用高真空蒸镀技术蒸镀一层极薄的锌或铝金属薄层，使电容器的极板和绝缘介质结合成一体，从而使结构紧密，其厚度仅为0.03-0.04um。达到体积小、容量大、质量高等诸多有点。特别是这种电容器当元件某一点击穿时，击穿电流使击穿点周围的金属层蒸发，故障点附近失去金属层而形成绝缘层，介质迅速恢复绝缘性能，故障自行消除，使电容器自动恢复安全运行。

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