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河北长城电瓷电器回收有限公司
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    开关稳压电源一级EMI抗干扰应用电路开关电源抗干扰电路1.EMI滤波器EMI滤波器与π型滤波器类似,但实际上它是一个双向LC滤波器。它的作用一方面滤除交流市电窜入的干扰,另一方面滤除开关管所产生的噪声,防止其进入到输入电源线造成对电网的污染。与EMI滤波电感器共同组成LC滤波器时所用的电容器C1~C4,通常要选用高频特性好的高压薄膜电容器或陶瓷电容器,这些电容器的容量值可在0.005~0.1μF之间选择,但应注意这些电容器的工作电压必须满足要求。2.浪涌抑制电路浪涌抑制电路主要由过电压抑制器为主构成。通常设置在EMI滤波电感器之后,但在整流滤波电路之前。浪涌抑制是利用EMI滤波电感器的串联阻抗来防止超过它们额定的瞬间能量。EMI电感器极大地减小了瞬间电压峰值,并在时间上把它延长,这样可以提高浪涌抑制电路所用元件的工作寿命。必须注意:不同的浪涌抑制元件所串联的内部电阻特性也不一样。金属氧化物变阻器(MOV)导通时,电阻值非常高,而半导体浪涌抑制器的电阻值比较低。发生浪涌时,低压电容器回收,抑制器的电阻值会影响到加在其上面的额定电压。例如,180V金属氧化物变阻器,瞬间电压可以上升到230V。故在选用滤波电容器和浪涌抑制器时,应考虑到这一点。3.整流器保护电路在电路启动时,正常的电流脉冲经整流后对已完全放电的C5大电容器进行充电,使电容器的端电压跳变,从而引起的浪涌电流有可能比平均输入电流有效值的10倍还大。这样大的浪涌电流有可能会导致整流器受损。为此,通常可在EMI滤波器的后面接一只热敏电阻器RT。















         因为万用表使用的是直流电源,而电容是阻碍直流电源的。不过前提是要看好电源电压,小心将电容击穿!有些漏电的电容器,用上述方法不易准确判断出好坏。当电容器的耐压值大于万用表内电池电压值时,根据电解电容器正向充电时漏电电流小,反向充电时漏电电流大的特点,可采用R&TImes;10K挡,对电容器进行反向充电,观察表针停留处是否稳定(即反向漏电电流是否恒定),由此判断电容器质量,准确度较高。黑表笔接电容器的负极,红表笔接电容器的正极,表针迅速摆起,然后逐渐退至某处停留不动,则说明电容器是好的,凡是表针在某一位置停留不稳或停留后又逐渐慢慢向右移动的电容器已经漏电,不能继续使用了。表针一般停留并稳定在50-200K刻度范围内。测量电容好坏与质量方法通常选用万用表的10K挡进行测试判断。红、黑表笔分别接电容器的两极(每次测试前,需将电容器放电),由表针的偏摆来判断电容器质量。若表针迅速向右摆一下退回原位,一般来说电容器是好的。如果表针摆起后不再回转,说明电容器已经击穿。如果表针摆起后逐渐退回到某一位置停位,则说明电容器已经漏电。如果表针摆不动,说明电容器开路。涤纶电容容量较小用指针表不易测量可用数字表或电容表。作用是相当于电感日光灯的启动器,起动通路。






            

     






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                 电容器回收就是起到一个电池的作用,满足驱动电路电流的变化,避免相互间的耦合干扰。电容退耦原理采用电容退耦是解决电源噪声问题的主要方法。这种方法对提高瞬态电流的响应速度,降低电源分配系统的阻抗都非常有效。对于电容退耦,很多资料中都有涉及,但是阐述的角度不同。有些是从局部电荷存储(即储能)的角度来说明,有些是从电源分配系统的阻抗的角度来说明,还有些资料的说明更为混乱,一会提储能,一会提阻抗,因此很多人在看资料的时候感到有些迷惑。其实,这两种提法,本质上是相同的,只不过看待问题的视角不同而已。去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,临沂电容器回收,可按C=1/F,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。









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