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整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择C=(2.5-5)×10 的负8 次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A 的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10 的负8 次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56选择10 欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10 的负12 次方×R)2Pfv=2u(1.5-2.0)

u=三相电压的有效值阻容吸收回路在实际应用中，RC 的时间常数一般情况下取1~10 毫秒。小功率负载通常取2 毫秒左右，R=220 欧姆1W，C=0.01 微法400~630V。大功率负载通常取10 毫秒，R=10 欧姆10W，C=1 微法630~1000V。

R 的选取：小功率选金属膜或RX21 线绕或水泥电阻；大功率选RX21 线绕或水泥电阻。C 的选取：CBB 系列相应耐压的无极性电容器。看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A 电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A 以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。

从上世纪80 年代的彩电国产化开始，到今天家电的普及，我国的电容器产业得到了空前的发展，在数量、质量、服务等方面充分满足了各类电子整机发展的需求，并带动了相关的材料行业、设备行业、仪器仪表行业的发展。目前，我国已成为全球电容器生产大国和消费大国，产量位居全球第一。

前瞻产业研究院发布的《中国电容器行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》显示，2005-2011年，我国电容器行业资产规模不断扩大，资产总额以12.29%的年均速度增长，2005年，资产总额为118.05亿元，2011年资产总额增长至236.69亿元;行业的销售规模以19.28%的年均速度不断扩大，从113.63亿元增至327.32亿元;行业利润年均增速为17%，从8.26 亿元增长至21.19 亿元。

《中国电子元件“十二五”规划》提出，到2015年，我国电子元件行业销售收入总额达到1.88 万亿元，占我国电子信息产业收入的20%。电子元件总产量超过2.8 万亿只，年均增长5.7%，满足国内70%的市场需求，电子元件出口总额达到860 亿美元，年均增长10%。

电容两极如果接有不同的电位，那么就在电容两极板上有电荷积累，形成电容内部的电动势，以抵消外部电动势。当完全抵消外部由于不同的电位引起的电势差时，就是所谓的平衡状态。

对于单个电容来说，电荷是没有流动的，正极板跟负极板之积累了等量的电荷，总体电量是0；

对于并联电容来说，跟单个电容相比，只是两极板电量不同，其余都一样。

对于串联的电容，由于不同的电容所带的电量大小不同，所以他们之间要有电荷转移，使得电荷平衡。但这样确又使得各自的电容极板间电量大小不同，破坏了各自的电容平衡，使得各个电容又有放电或充电（但其中一个电容充电跟另外一个放电的电量是相等的），如此往复循环，其频率理论上跟电容大小有关，实际工程上还跟两端的电势差有关。因此总体上看电量是平衡的，但是其实内部一直在有电荷转移。正因为如此，实际工程上串联的电容值会比理论计算的值还要小，而且电容串联使得电路不稳定，容易引起震荡（电容三点式）。