在时间T3,关闭PMOS管,这一动作不会导致脉冲噪声的产生,因为在此之前PMOS管一直处于打开状态且没有电流流过的。同时打开NMOS管,这时传输线、地平面、封装电感Lg以及NMOS管形成一回路,有瞬间电流流过开关B,这样在芯片内部的地结点处产生参考电平点被抬高的扰动。该扰动在电源系统中被称之为地弹噪声(Ground Bounce,我个人读着地tan)。
实际电源系统中存在芯片引脚、PCB走线、电源层、底层等任何互联机都存在一定电感值,因此上面就IC级分析的SSN和地弹噪声在进行Board Level分析时,以同样的方式存在,而不仅仅局限于芯片内部。
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当前SMD薄膜电容器主要采用以下三种电介质:
PolyphenyleneSulfide(PPS)——可以实现较高的工作温度;PolyethyeleneNapthlatae(PEN)——工作电压可达400Vdc;MetallizedPET(PET)——这是一种低成本方案。下面分别从尺寸、额定电压、电容值、工作温度等方面分析这三种不同介质产品的特性。
外观尺寸——直流薄膜贴片电容器具有超小的尺寸,从0603EIA到庞大的6039EIA,适用于电压为400Vdc以内的功率薄膜应用。但是与PPS、PEN或PET薄膜相比,竞争性的MLCC产品体积更小,而且能够获得较高的电容,价格也比较便宜。因此,把容积效率与薄膜的内在品质相结合,将是今后小尺寸薄膜贴片电容器市场的主要发展方向,特别是PPS和PET薄膜贴片电容。
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