电容器回收一般都可以看成一个RLC串联模型。在某个频率，会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其ESR。如果看电容的频率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个V形的曲线。具体曲线与电容的介质有关，所以选择旁路电容还要考虑电容的介质，一个比较保险的方法就是多并几个电容。去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。

                在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。不同品种的电容器，使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。不同品种的电容器，使用频率不同贴片电容的稳定性及容量精度与其采用的介质材料存在对应关系，主要分为三大类别：贴片电容的稳定性及容量精度与其采用的介质材料存在对应关系一、是以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量非常稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，主要应用于高频电子线路，如振荡、计时电路等;其容量精度主要为±5，以及在容量低于10pF时，可选用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度。

             投切方式影响电容器回收寿命触点投切（接触器+复合开关+智能电容器）这都是触点投切类型的，复合开关是接触器的演化升级版，智能电容器是{复合开关+电容器}的组合版。接触器的触点投切的是随机的，投入瞬间和切除瞬间，涌流和过电压达几十倍，触点间的巨大的弧光能量，都由电容器承受，电容器薄膜其实相当脆弱，只要一击穿，电容器就报废了。复合开关接触器的触点投切的弊端很大，在2007年时候，我么也曾开发过4款复合开关，分别为：380V﹨660V二款；60kvar﹨80kvar二款，但是一年以后停用。原因是应用到工厂里去后，故障率至少5%以上，频繁出现场维修，疲于奔命不说，用户的根本没有信心去用了。主要故障是插片式可控硅被过电压击穿，更换为耐压高的可控硅模块后，有所好转。但是可控硅模块体积很大，只好临时固定在外面，根本装不进壳子里去。接下来搞批量生产时候，一算成本，提高了一倍，成为当时贵的复合开关，而且只能投切30~40kvar的电容器（现在晶闸管单路可以投切400kvar）。只好停产。现在市场上各种复合开关很多，仍然在销售。但是拆开看一下就知道了，没有可控硅，只有磁保持继电器，与接触器没有大的区别。智能电容器智能电容器的投切开关与复合开关是一样的配置，性能自然也一样。可控硅投切可控硅投切电容器早发展与90年代末，远早于复合开关之前。钢铁大发展之时，直流调速设备造成的谐波污染严重影响了电网的安全运行。

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