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整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择C=(2.5-5)×10 的负8 次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A 的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10 的负8 次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF,1kv 的电容器电阻的选择:R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56选择10 欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10 的负12 次方×R)2Pfv=2u(1.5-2.0)
R 的选取:小功率选金属膜或RX21 线绕或水泥电阻;大功率选RX21 线绕或水泥电阻。C 的选取:CBB 系列相应耐压的无极性电容器。看保护对象来区分:接触器线圈的阻尼吸收和小于10A 电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴;接触器触点和大于10A 以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。
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该电容优点突出,缺点也突出。其主要优点是安装方便、维护工作量小、节省占她面积。而其缺点主要是给用户带来不便,它的维护工作量虽小,但对它的观察很不直观,不能放松对其容量变化的关注;特别是在有谐波的场所,对其容量的变化必须时刻注意。随着运行时间的推移,内熔丝可能会逐步动作,从而引发三相电容量失衡,这一故障很难在现场修复,返厂修理又费时间,影响电容器的投运率。再者因此引起的并补装置串联电抗百分率的变化,大到一定程度时会远离预定目标,甚至带来麻烦。特别是选取4. 5%电抗百分率的并联补偿装置,应事先做好预案,一旦这个百分率出现下滑向4%靠近时,要有可靠的应对措施。更值得注意的是,电容器高压出线套管下端(在油中)对地闪络或击穿时,对地保护有“死区”。《并联电容器装置设计规范》(GB 50227 --1995)及相关国家行业标准均对此没有针对性措施;一旦发生这类事故,只能待其发展到元件损坏而出现不平衡电压或电流后,才能迫使后备继电保护动作。运行实践表明已有这类事故发生,而且都是恶性事故。因此在投运该类产品时,应考虑对此问题加以防范。其实这类事故的起因是对地绝缘失效,在保护上存在盲区造成的。后备保护动作是事故已经扩大,导致集合式电容器严重损坏,产生了不平衡电压或电流后的补救揩施,现有保护不能对这类恶性事故起到预防作用。
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