这种款式的电容器中，我国二三十年间一直以内熔丝电容器为主，即电容器内部每个元件上都配装一根小熔丝。近几年来出现了无熔丝电容器，是一种既无内熔丝、也无外熔丝的电容器。20世纪70年代以前，国内生产的全纸电容器与早期的纸膜复合电容器，白于当时内熔丝还处在研究阶段，不可能采用到产品中去，保护电容器的专用外熔断器也是从1980年起才开始研制。电容器出现内部元件击穿后，全依靠电磁式继电器来保护，所以当时的电容器都是完全的无熔丝电容器。随后内外熔丝的相继应用，使我国的无熔丝电容器消失了约30年。此间虽然也一直存在无内熔丝电容器，但要配置外熔丝后才允许使用。

无熔丝全膜电容器有与前不同的新含义，越过了晶体管继电器、集成电路继电器阶段，直接进入了微机保护时代。我国无熔丝电容器内部元件的连接方式，有以下三种：

(1)传统的占主导地位的元件先并联后串联的方式。内部并联元件数量比较少，不宜配置内熔丝的小容量电容器（例如lO0kvar以下），一直沿用这种接线方式。

(2)内部元件先串联后并联的方式，即又被重新倡导的一种接线方式。

(3)内部元件既有串联成分，也有并联成分，但与上述两种接线方式不同，串中有并，并中有串，属于混合连接方式。这样的接法没有统一的格式，需要根据设计时对单台容量大小与保护上的要求而定。

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用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。

频率特性好，Q值高，温度系数小不能做成大的容量广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器玻璃釉电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成'独石'结构

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多层陶瓷电容器（MLCC）  MLCC一般为20~30层，由钛酸钡、钛酸铅及铅、钛、镁、铋等金属的氧化物及银、钯内电极浆料和端电极组成，一般金属含量小于8%。我国贵金属矿产资源品位低、储量少，每年都需要耗用大量外汇进口贵金属原料，以满足国民经济建设的需要。从各种贵金属废料中回收贵金属日益受到人们的关注，因而从上述MLCC废料中回收银、钯具有重要意义。

目前从一般电子废料中回收银、钯的方法主要有高温熔炼法和化学法。

高温熔炼法是把含贵金属的电子废料加入电炉中高温熔炼，金、银及铂族金属富集在捕集金属（如铜、铅）中，再用传统的方法从捕集金属中回收贵金属。

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