高压并联电力电容器主要用于提高50Hz工频电力系统的功率因素。

除高原型的电容器、≤另有规定外，安装地点海拔高度不超过1000m，环境空气温度类别分为：

（-40～+40）℃、（-40～+45）℃、（-25～+45）℃。

允许在1.1Un下长期运行，每24h内并可以在1.15Un下运行30min。电容偏差不超过（-5%～+10%）Cn。介质损耗角正切值，复合介质电容器：Un ≤ 1kv,tgδ ≤ 0.0015

Un ≥ 1kv,tgδ ≤ 0.0012

全膜电容器Un≤、tg8≤0.0008 Un ≥ 1kv,tgδ ≤ 0.0005

电容器产品分单相、△(三相)、Y（星形）、Y-（星形、中性点引出）和Ⅲ（三节段、内部未联结）等形式。

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电容两极如果接有不同的电位，那么就在电容两极板上有电荷积累，形成电容内部的电动势，以抵消外部电动势。当完全抵消外部由于不同的电位引起的电势差时，就是所谓的平衡状态。

对于单个电容来说，电荷是没有流动的，正极板跟负极板之积累了等量的电荷，总体电量是0；

对于并联电容来说，跟单个电容相比，只是两极板电量不同，其余都一样。

对于串联的电容，由于不同的电容所带的电量大小不同，所以他们之间要有电荷转移，使得电荷平衡。但这样确又使得各自的电容极板间电量大小不同，破坏了各自的电容平衡，使得各个电容又有放电或充电（但其中一个电容充电跟另外一个放电的电量是相等的），如此往复循环，其频率理论上跟电容大小有关，实际工程上还跟两端的电势差有关。因此总体上看电量是平衡的，但是其实内部一直在有电荷转移。正因为如此，实际工程上串联的电容值会比理论计算的值还要小，而且电容串联使得电路不稳定，容易引起震荡（电容三点式）。

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整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择C=(2.5-5)×10 的负8 次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A 的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10 的负8 次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56选择10 欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10 的负12 次方×R)2Pfv=2u(1.5-2.0)

R 的选取：小功率选金属膜或RX21 线绕或水泥电阻；大功率选RX21 线绕或水泥电阻。C 的选取：CBB 系列相应耐压的无极性电容器。看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A 电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A 以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。

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