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温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到电容电压乘积。对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态。超小型高可靠机件中。薄膜电容器

结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质。频率特性好，介电损耗小。不能做成大的容量，耐热能力差。滤波器、积分、振荡、定时电路。瓷介电容器穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用。不能做成大的容量，受振动会引起容量变化。特别适于高频旁路。

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高压并联电力电容器主要用于提高50Hz工频电力系统的功率因素。

除高原型的电容器、≤另有规定外，安装地点海拔高度不超过1000m，环境空气温度类别分为：

（-40～+40）℃、（-40～+45）℃、（-25～+45）℃。

允许在1.1Un下长期运行，每24h内并可以在1.15Un下运行30min。电容偏差不超过（-5%～+10%）Cn。介质损耗角正切值，复合介质电容器：Un ≤ 1kv,tgδ ≤ 0.0015

Un ≥ 1kv,tgδ ≤ 0.0012

全膜电容器Un≤、tg8≤0.0008 Un ≥ 1kv,tgδ ≤ 0.0005

电容器产品分单相、△(三相)、Y（星形）、Y-（星形、中性点引出）和Ⅲ（三节段、内部未联结）等形式。

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在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电路。我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸

造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC 阻容吸

收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C 串联电阻R 可起阻尼作用，它可以防止R、L、C 电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。

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