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在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电路。我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸

造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC 阻容吸

收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C 串联电阻R 可起阻尼作用，它可以防止R、L、C 电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。

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电容两极如果接有不同的电位，那么就在电容两极板上有电荷积累，形成电容内部的电动势，以抵消外部电动势。当完全抵消外部由于不同的电位引起的电势差时，就是所谓的平衡状态。

对于单个电容来说，电荷是没有流动的，正极板跟负极板之积累了等量的电荷，总体电量是0；

对于并联电容来说，跟单个电容相比，只是两极板电量不同，其余都一样。

对于串联的电容，由于不同的电容所带的电量大小不同，所以他们之间要有电荷转移，使得电荷平衡。但这样确又使得各自的电容极板间电量大小不同，破坏了各自的电容平衡，使得各个电容又有放电或充电（但其中一个电容充电跟另外一个放电的电量是相等的），如此往复循环，其频率理论上跟电容大小有关，实际工程上还跟两端的电势差有关。因此总体上看电量是平衡的，但是其实内部一直在有电荷转移。正因为如此，实际工程上串联的电容值会比理论计算的值还要小，而且电容串联使得电路不稳定，容易引起震荡（电容三点式）。

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用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。

频率特性好，Q值高，温度系数小不能做成大的容量广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器玻璃釉电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成'独石'结构

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