这也是为什么很多电路板在高频器件VCC管脚处放置小电容的原因之一（在vcc引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。）配置原则如下：电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会好。为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，阜新电容器回收，而且漏电流很小（0.5uA以下）。对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。

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             一件产品在采购原材料时需要选择优异的，在工艺上选择先进的，同时在出厂时也应仔细检查，这样才能确保出售的产品没问题，同样的，薄膜电容也需如此。所有出厂的的薄膜电容器都应当符合国家GB12747—91标准，而且在出厂前都要对电容器元件检验、筛选，指明电容器回收，然后合格的元件才允许组装电容器。电容器的容量、损耗、耐压、绝缘等主要指标都经过测试，同时外观也必须经过检查合格后才能出厂。出厂的电容器应当配有相应的使用说明书、技术指标、规格书等。如果薄膜电容器在保用期内如发生击穿、过热、明显鼓肚、失效等，生产厂家应予以调换，这是作为一个生产厂家基本的售后服务。同时在使用的时候也应该注意下，薄膜电容器的阻抗是和频率成反比，随着频率的，损耗也增大。对于电路中的谐波和涌流要采取措施加以限制。薄膜电容器总是要产生热量的，要特别注意通风冷却。试运行过程中，要对系统进行检测，发现过电压、过电流、振荡、谐波等要及时采取措施，防止出现意外。

              不是一个自触发电路、一个光耦触发电路就能解决好的问题。现在市场上可控硅开关、动态补偿开关等都是走的简化电路，追求的是低成本，主要投切30kvar大小的电容器。这种投切开关，对电容器的寿命仍然影响严重，电容器的切除过电压高达2000V，可控硅开关质量不会乐观，故障率很高。方案可控硅投切电容器，电容器回收价格，涉及电力电子的精密过零技术，投切过程中还要涌流、过电压的问题。精密过零、动态放电、瞬态保护这三个技术难关不好，故障率仍会居高不下。解决好这三个问题，电容器会受到很好的保护，比其他投切方式会延长一倍的寿命。解决不好这三个难题，快速熔断器就取消不了，企业用户频繁更换快速熔断器，费用是难以承受的。

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