退耦原理：（去耦即退耦）高手和前辈们总是告诉我们这样的经验法则：“在电路板的电源接入端放置一个1～10μF的电容，滤除低频噪声；在电路板上每个器件的电源与地线之间放置一个0.01～0.1μF的电容，滤除高频噪声。”在书店里能够得到的大多数的高速PCB设计、高速数字电路设计的经典教程中也不厌其烦的引用该法则（老外俗称RuleofThumb）。在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法。去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水，这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，等水过来，我们已经渴的不行了。实际水是来自于大楼顶上的水塔，水塔其实是一个buffer的作用。如果微观来看，济南电容器回收，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件VCC到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下，低压电容器回收，阻抗Z＝i*wLR，线路的电感影响也会非常大，会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。而去耦电容可以弥补此不足。

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开关稳压电源一级EMI抗干扰应用电路开关电源抗干扰电路1.EMI滤波器EMI滤波器与π型滤波器类似，但实际上它是一个双向LC滤波器。它的作用一方面滤除交流市电窜入的干扰，另一方面滤除开关管所产生的噪声，防止其进入到输入电源线造成对电网的污染。与EMI滤波电感器共同组成LC滤波器时所用的电容器C1～C4，通常要选用高频特性好的高压薄膜电容器或陶瓷电容器，这些电容器的容量值可在0.005～0.1μF之间选择，但应注意这些电容器的工作电压必须满足要求。2.浪涌抑制电路浪涌抑制电路主要由过电压抑制器为主构成。通常设置在EMI滤波电感器之后，但在整流滤波电路之前。浪涌抑制是利用EMI滤波电感器的串联阻抗来防止超过它们额定的瞬间能量。EMI电感器极大地减小了瞬间电压峰值，并在时间上把它延长，这样可以提高浪涌抑制电路所用元件的工作寿命。必须注意：不同的浪涌抑制元件所串联的内部电阻特性也不一样。金属氧化物变阻器（MOV）导通时，电阻值非常高，而半导体浪涌抑制器的电阻值比较低。发生浪涌时，高压电容器回收，抑制器的电阻值会影响到加在其上面的额定电压。例如，180V金属氧化物变阻器，瞬间电压可以上升到230V。故在选用滤波电容器和浪涌抑制器时，应考虑到这一点。3.整流器保护电路在电路启动时，正常的电流脉冲经整流后对已完全放电的C5大电容器进行充电，使电容器的端电压跳变，从而引起的浪涌电流有可能比平均输入电流有效值的10倍还大。这样大的浪涌电流有可能会导致整流器受损。为此，通常可在EMI滤波器的后面接一只热敏电阻器RT。

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