所谓片式多层瓷介电容器（MLCC）---简电容器电容器，是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。

片式电容器除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在 2000亿支以上，70%出自日本，其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。

独石电容器是简易的平行面板电容器的基础结构是由一个绝缘层的正中间介质层加外2个导电性的金属材料电极，基础结构主要包含三绝大多数：瓷器介质，金属材料内电极，金属材料外电极。而双层内置式陶瓷电容器这是一个双层叠合的结构，实际上就是说是由好几个简易平行板电容器的并连体。独石电容容积大，适合高频。独石电容的容积平稳，能确保振荡頻率平稳，振荡頻率飘移小特性

：温度范畴宽；重量轻不占室内空间；容量范畴宽；额定电流高；介质耗损小；高频率特点好；融入范畴也普遍。

电容器分成两大类：Ⅰ类电容器瓷和Ⅱ类电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。按其主要用途能够分成三类：①高频率热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频率热平稳电容器瓷（NPO）；③高频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。高频率热补偿、热平稳电容器瓷属Ⅰ类瓷，其瓷料关键成份是MgTiO3、Ti9Ba2O20、BaTi4O9和Nd-Ba-Ti再添加适量的希土类金属氧化物等配置而成。其特性是介电常数较小，介电损耗小（低于15×10-4），介电常数一般不随温度的转变而转变。高频率热补偿电容器瓷常见来生产制造负温商品，该类商品主要用途较广的地区就是说振荡回路，像彩色电视高频头。大伙儿了解，振荡回路全是由电感器和电容器组成，回路中的电感一般具备正的电感器温度指数。因而，以便维持振荡回路中頻率不随温度转变而产生飘移，就务必先加具备适度的负温度指数的电容器来开展补偿。